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電力電子專欄

晶圓級立方碳化硅單晶生長取得新突破！

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低 [查看詳情]

[2024年第1期][閱讀1294次]

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