全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開(kāi)關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號(hào)的安全傳輸。 新產(chǎn)品通過(guò)采用ROHM自主開(kāi)發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實(shí)現(xiàn)高達(dá)2MHz的高頻驅(qū)動(dòng)。[登陸后可查看全文]