全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。
新產品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作中，使用本產品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。
新產品通過采用ROHM自主開發的片上隔離技術，有效降低寄生電容，實現高達2MHz的高頻驅動。
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