·英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 趙佳   碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車(chē)等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計(jì)靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無(wú)需大量設(shè)計(jì)工作和設(shè)計(jì)布局變化。      [登陸后可查看全文]