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    CoolSiC™ 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準
    
    
    作 者： 單 位：  閱讀 6869 次
    
    
    
        ·英飛凌工業半導體 周明
本文介紹了新的CooSiC™ 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK™ 3B封裝的升壓模塊。這些產品的性能提高了系統功率密度，可靠性和效率，并簡化了設計。
 
1、介紹
 
最新的光伏太陽能、儲能和高功率充電器（1500 VDC）應用要求更高的電壓裕量，以確保系統安全運行。CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET被設計為在高電壓和高開關頻率下提供更高的[登陸后可查看全文]
    	
	

    
    


    
    
    
  
    
    
        

    



    

    
	
    

    
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