華為公司與山東大學的研究團隊近日聯合宣布，他們在高壓電力電子器件領域取得了重大突破。雙方成功開發出一種1200V全垂直GaN-on-Si溝槽MOSFET，其核心技術創新——氟注入終端（FIT-MOS）技術——顯著提升了器件的性能，使其達到了與成本高昂的GaN襯底器件相當的水平。這項研究成果為千伏級電力電子系統提供了極具成本效益的解決方案。 該研究成果已以《1200 V Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFET》為題，發表于國際頂級期刊《IEEE電子器件快報》（IEEE Electron Device Letters）上。   圖片來源：IEE[登陸后可查看全文]