在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與碳中和目標的推動下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)行業(yè)預測，到2030年，全球新能源汽車銷量占比將超過50%，這一趨勢對電驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了前所未有的高要求。作為新能源汽車核心技術(shù)的關(guān)鍵支撐，寬禁帶半導體憑借其卓越的性能優(yōu)勢，正逐漸成為行業(yè)焦點。 寬禁帶半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），相較于傳統(tǒng)硅基半導體，具備更高的擊穿電場、更快的開關(guān)速度、更低的導通電阻以及更好的高溫穩(wěn)定性等特性，這些優(yōu)勢使其在新能源汽車的電機控制器、車載充電機（OBC）、直流-直流變換器（DC - DC）等關(guān)[登陸后可查看全文]