近日，國家第三代半導體技術創新中心深圳平臺（深圳平湖實驗室）宣布在碳化硅襯底加工領域取得里程碑式進展。該團隊自主研發的全自動化激光剝離系統，成功將碳化硅襯底單片切割損耗從傳統工藝的280-300微米降至75微米以下，單片成本降低26%，技術水平達到國際先進。 在第三代半導體材料產業化進程中，碳化硅（SiC）襯底加工技術長期受制于高損耗、低效率的瓶頸。深圳平湖實驗室聚焦SiC激光剝離新技術的研究與開發，旨在大幅降低碳化硅襯底的切割損耗，從而降低碳化硅襯底的成本，促進大尺寸SiC襯底規模化產業應用。 2024年12月，深圳平[登陸后可查看全文]