近日，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳平臺(tái)（深圳平湖實(shí)驗(yàn)室）宣布在碳化硅襯底加工領(lǐng)域取得里程碑式進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的全自動(dòng)化激光剝離系統(tǒng)，成功將碳化硅襯底單片切割損耗從傳統(tǒng)工藝的280-300微米降至75微米以下，單片成本降低26%，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)。 在第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中，碳化硅（SiC）襯底加工技術(shù)長(zhǎng)期受制于高損耗、低效率的瓶頸。深圳平湖實(shí)驗(yàn)室聚焦SiC激光剝離新技術(shù)的研究與開發(fā)，旨在大幅降低碳化硅襯底的切割損耗，從而降低碳化硅襯底的成本，促進(jìn)大尺寸SiC襯底規(guī)模化產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。 2024年12月，深圳平[登陸后可查看全文]