近期，廣東致能創始人黎子蘭博士參加在瑞典舉辦的第十五屆國際氮化物半導體會議（ICNS-15）并作邀請報告（Invited Talk）。報告分享了團隊在硅基垂直氮化鎵功率器件（GaN HEMT）技術上的原創性突破及應用前景。 廣東致能團隊全球首創在硅襯底上實現垂直GaN/AlGaN異質結構及垂直二維電子氣溝道（2DEG）的直接外延生長，通過精準工藝調控，制備出低位錯密度的氮化鎵鰭狀結構，該方法具備極高的外延結構設計自由度。 基于這一創新平臺，團隊成功研制出全球首個具有垂直2DEG溝道的常開型器件（D-mode VHEMT）及閾值電壓可調的常關型器件（E[登陸后可查看全文]