"中國科學院微電子研究所"官微消息，中國科學院微電子研究所聯合中國科學院半導體研究所、北京大學、香港科技大學、劍橋大學、武漢大學和蘇州能訊高能半導體有限公司等，首次澄清了GaN異質外延中螺位錯和刃位錯對GaN基功率電子器件的關鍵可靠性-動態導通電阻退化的影響機理，構建了“雙通道位錯輸運”模型，明確了GaN外延層中螺位錯和刃位錯可分別充當電子與空穴的獨立傳輸路徑，對器件漏電和動態電阻的退化產生相反的影響。 據介紹，#氮化鎵基器件 主要基于異質外延材料制作，由于外延襯底與GaN基外延層（如AlGaN/GaN異[登陸后可查看全文]