當新能源汽車的續航里程突破1000公里，當800V高壓平臺成為高端車型標配，當智能駕駛系統需要每秒處理數萬億次計算——這些曾經僅存于科幻電影中的場景，正在2025年的中國汽車產業中成為現實。而支撐這場變革的核心力量，正是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。它們如同新能源汽車的“電力引擎”，以革命性的性能突破，重新定義了能源轉換的效率邊界。 寬禁帶半導體的崛起并非偶然。傳統硅基材料在400V電壓平臺下已接近物理極限，而SiC和GaN憑借高擊穿電場、高電子遷移率和高熱導率等特性，在[登陸后可查看全文]