隨著純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(PHEV)銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng),電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到?2030?年,電動(dòng)汽車(chē)的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng),從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右。為滿足對(duì)高壓汽車(chē)IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司推出新一代產(chǎn)品,包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的EDT3(第三代電力傳動(dòng)系統(tǒng))芯片,以及為800 V系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動(dòng)系統(tǒng)的性能,尤其適用于汽車(chē)應(yīng)用。
EDT3和RC-IGBT裸芯片專為提
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