6月18日，由東風汽車與株洲中車合作成立的智新半導體在官微宣布，他們首批1700V SiC MOSFET模塊正式下線，標志著該項目取得重大階段性成果，為后續(xù)批量裝車應用奠定了堅實基礎。
據(jù)了解，智新半導體的1700V電壓等級SiC模塊尤其契合1200V平臺主驅逆變器的需求，可用于高性能高端越野車、電動卡車、電動礦車的三相逆變器、OBC模塊、兆瓦級超級充電樁等場景：
·采用經典HPD封裝形式，耐壓直接提升至1700V，且保持模塊尺寸基本不變；
·采用平面型封裝與芯片間隔排布，降低寄生電感≤10nH；
·導通損耗：3m&Omega
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