6月18日，由東風(fēng)汽車與株洲中車合作成立的智新半導(dǎo)體在官微宣布，他們首批1700V SiC MOSFET模塊正式下線，標(biāo)志著該項(xiàng)目取得重大階段性成果，為后續(xù)批量裝車應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 據(jù)了解，智新半導(dǎo)體的1700V電壓等級(jí)SiC模塊尤其契合1200V平臺(tái)主驅(qū)逆變器的需求，可用于高性能高端越野車、電動(dòng)卡車、電動(dòng)礦車的三相逆變器、OBC模塊、兆瓦級(jí)超級(jí)充電樁等場(chǎng)景： ·采用經(jīng)典HPD封裝形式，耐壓直接提升至1700V，且保持模塊尺寸基本不變； ·采用平面型封裝與芯片間隔排布，降低寄生電感≤10nH； ·導(dǎo)通損耗：3m&Omega[登陸后可查看全文]