眾所周知，新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器對(duì)碳化硅芯片的可靠性要求非常高，為確保逆變器在整個(gè)使用壽命期間功能正常，通常碳化硅芯片產(chǎn)品在出廠前均需進(jìn)行老化測(cè)試，以篩選掉可靠性異常的SiC MOSFET芯片。 但是如何高效、低成本而準(zhǔn)備地篩選異常SiC芯片一直是產(chǎn)業(yè)界的難題。 近日，理想汽車(chē)在第37屆ISPSD會(huì)議上發(fā)表了題為《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓異常芯片的分析與篩選技術(shù)研究）的論文。 該論文表示，SiC外延層中的非致命缺陷會(huì)[登陸后可查看全文]