6月27日，深圳平湖實驗室 聯合深圳市鵬進高科技有限公司，在國產寬禁帶半導體功率器件領域取得重大突破，其成功攻克1200V溝槽柵碳化硅MOSFET芯片核心技術難題，并構建了8英寸工藝平臺，實現自主知識產權8英寸高性能1200V溝槽柵碳化硅MOSFET芯片的成功流片，其專利公開號為CN118610269A。 圖片來源：深圳平湖實驗室 圖為8英寸高性能溝槽柵SiC MOSFET結構（專利）示意圖及芯片剖面圖   該芯片的靜態性能指標實現了業內領先的低比導通電阻（<2.1mΩ·cm²），優于國際主流高可靠廠商的技術水平（如[登陸后可查看全文]