·安森美   電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。   圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較   什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？   眾多終端產(chǎn)品制造商已選[登陸后可查看全文]