近日，清純半導體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ。該平臺通過專利技術和工藝完善，實現了領先國際同類產品的比導通電阻系數Rsp=2.1 mΩ.cm²，如圖1所示，進一步實現高電流處理能力和更小損耗，幫助新能源汽車電機驅動器進一步釋放SiC高功率密度及高能量轉化效率潛力，提高續航里程。 圖1 清純半導體1、2、3代產品比電阻Rsp變化 該產品額定電壓為1.2kV，額定電流超過220A，室溫閾值電壓典型值為2.7~2.8V。圖2分別給出了該芯片在常溫及高溫的輸[登陸后可查看全文]