近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ。該平臺通過專利技術(shù)和工藝完善，實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品的比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp=2.1 mΩ.cm²，如圖1所示，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高電流處理能力和更小損耗，幫助新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步釋放SiC高功率密度及高能量轉(zhuǎn)化效率潛力，提高續(xù)航里程。 圖1 清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rsp變化 該產(chǎn)品額定電壓為1.2kV，額定電流超過220A，室溫閾值電壓典型值為2.7~2.8V。圖2分別給出了該芯片在常溫及高溫的輸[登陸后可查看全文]