近日，《應用物理快報》刊登了一篇名為《藍寶石基3kV單芯片雙向GaN HEMT》的文章，其作者及研究團隊來自于威斯康星大學麥迪遜分校，透露了單片雙向GaN晶體管的最新研究進展。該研究團隊表示，他們通過優化歐姆接觸、場板結構等工藝，開發了基于藍寶石襯底的3kV單片雙向GaN HEMT，在提升擊穿電壓的同時保持低導通電阻：
●擊穿電壓：≥3 kV（受限于測試設備上限），漏極/柵極漏電流分別穩定在90 μA mm−1及2 μA mm−1。
●導通電阻：20 Ω·mm（對應比導通電阻11mΩ·cm²）
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