近日，南方科技大學電子與電氣工程系副教授化夢媛課題組聯(lián)合奧斯陸大學和赫爾辛基大學研究團隊，揭示了高能離子束輻照條件下氧化鎵（Ga2O3）從穩(wěn)態(tài)晶相向亞穩(wěn)態(tài)晶相有序相變的新機制。相關研究成果以“Crystallization Instead of Amorphization in Collision Cascades in Gallium Oxide”為題發(fā)表在國際物理學期刊《物理評論快報》（Physical Review Letters）上。 圖 1 β相氧化鎵在高能離子束輻照下，受到無序臨界閾值的調控，發(fā)生了β相至γ相的晶格相變   長期以來，半導體晶體材料在高能粒子高劑[登陸后可查看全文]