近日，南方科技大學電子與電氣工程系副教授化夢媛課題組聯合奧斯陸大學和赫爾辛基大學研究團隊，揭示了高能離子束輻照條件下氧化鎵（Ga2O3）從穩態晶相向亞穩態晶相有序相變的新機制。相關研究成果以“Crystallization Instead of Amorphization in Collision Cascades in Gallium Oxide”為題發表在國際物理學期刊《物理評論快報》（Physical Review Letters）上。 圖 1 β相氧化鎵在高能離子束輻照下，受到無序臨界閾值的調控，發生了β相至γ相的晶格相變   長期以來，半導體晶體材料在高能粒子高劑[登陸后可查看全文]