4月22日，英飛凌推出CoolGaN™ G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計，降低了用料成本。 　　集成肖特基二極管的CoolGaN™G5晶體管   　　在硬開關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD ）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長，那么這種情況就會更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器[登陸后可查看全文]