4月1日，英諾賽科與意法半導體共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議，雙方將基于該協議充分發揮各自優勢，提升氮化鎵功率解決方案性能和供應鏈韌性。雙方達成聯合開發氮化鎵功率技術的共識，并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域獲得廣泛應用的光明前景。 根據協議，英諾賽科和意法半導體將互相利用對方的制造產能生產氮化鎵晶圓。英諾賽科可使用意法半導體在中國以外的產能，而意法半導體可利用英諾賽科在中國的產能，雙方合作旨在拓展氮化鎵產品組合和市場供應能力，并通過優化[登陸后可查看全文]