3月22日，九峰山實驗室首次公布了GaN相關的研究成果，包括國際首創8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）；全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺；動態遠距離無人終端無線能量傳輸完成示范驗證。成果覆蓋了GaN產業鏈的上下游，包括材料、器件設計、應用。 九峰山實驗室8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底   九峰山實驗室成立于2021年，是湖北省級實驗室，聚焦化合物半導體的研發與創新，目標是打造全球化合物半導體的平臺、技術和產業的“燈塔”。實驗室總投資82億元，建有國內領先、全球一流的量產級研發平臺，并在中[登陸后可查看全文]