3月22日，九峰山實驗室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果，包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）；全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺；動態(tài)遠(yuǎn)距離無人終端無線能量傳輸完成示范驗證。成果覆蓋了GaN產(chǎn)業(yè)鏈的上下游，包括材料、器件設(shè)計、應(yīng)用。 九峰山實驗室8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底   九峰山實驗室成立于2021年，是湖北省級實驗室，聚焦化合物半導(dǎo)體的研發(fā)與創(chuàng)新，目標(biāo)是打造全球化合物半導(dǎo)體的平臺、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的“燈塔”。實驗室總投資82億元，建有國內(nèi)領(lǐng)先、全球一流的量產(chǎn)級研發(fā)平臺，并在中[登陸后可查看全文]