·本文作者：Brandon Becker，安森美（onsemi）電源解決方案事業部 (PSG) 營銷經理   電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。   圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較   什么是[登陸后可查看全文]