氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子器件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。
為了解決這個問題，英飛凌推出采用RQFN 5x6封裝的 CoolGaN™ G3 100V (IGD015S10S1) 和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN™ G3 80V (IGE033S08S1) 高性能GaN晶體管。
CoolGaN™ G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合
英飛凌科技中壓氮化鎵產品線負責人Antoine Jalabert博士表示，這兩款新器件兼容行業標準硅MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝
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