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    安世半導體:完善GaN產(chǎn)品組合

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    近日,Nexperia(安世半導體)宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場,包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信,尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。 自2023年推出E-mode GaN FET以來,Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商,為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。 Nexperia此次發(fā)布的E-mode GaN FET新產(chǎn)品包括新型低壓40 V雙向器件[登陸后可查看全文]
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