近日，北京大學物理學院楊學林、沈波團隊，聯合寬禁帶半導體研究中心等多個科研機構，在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重大突破。  據悉，相關成果2025年2月5日以“從原子尺度上理解氮化物半導體中的位錯攀移：不對稱割階的影響”（Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs）為題在線發表于《物理評論快報》（Physical Review Letters）上。  氮化鎵作為寬禁帶半導體的代表，在光電子、射頻電子和功率電子領域有著巨大的應用潛力，是[登陸后可查看全文]