·三菱電機半導(dǎo)體 SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。 為了實現(xiàn)低碳社會，能夠高效電能變換的電力電子技術(shù)正在擴展到消費、工業(yè)、電氣化鐵路、汽車、太陽能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電等各個領(lǐng)域。其中，功率模塊在控制電流方面發(fā)揮著重要作用，需要減少運行過程中的損耗，減小封裝尺寸，并提高功率密度。近年來備受關(guān)注的SiC（碳化硅）與以往的Si（硅）相比具有高速開關(guān)且低損耗[登陸后可查看全文]