·三菱電機半導體 SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。 為了實現低碳社會，能夠高效電能變換的電力電子技術正在擴展到消費、工業、電氣化鐵路、汽車、太陽能發電和風力發電等各個領域。其中，功率模塊在控制電流方面發揮著重要作用，需要減少運行過程中的損耗，減小封裝尺寸，并提高功率密度。近年來備受關注的SiC（碳化硅）與以往的Si（硅）相比具有高速開關且低損耗[登陸后可查看全文]