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    英飛凌發布《2025年GaN功率半導體預測報告》

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      在全球持續面臨氣候變化和環境可持續發展挑戰之際,英飛凌科技股份公司一直站在創新前沿,利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數字化領域的發展。 英飛凌在其 《2025年GaN功率半導體預測報告》中強調,GaN將成為影響游戲規則的半導體材料,它將極大改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽能、電信和AI數據中心等領域提高能效和推進低碳化的方式。GaN可為終端客戶的應用帶來顯著優勢,包括提高性能效率、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器在GaN[登陸后可查看全文]
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