硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。   與硅基MOSFET一樣，SiC MOSFET的工作特性和性能也依賴于柵極驅動電路的設計，該電路負責開啟和關閉器件。然而，SiC的特定特性要求對MOSFET器件和柵極驅動電路進行仔細選擇，以確保安全地滿足應用需求，并盡可能提高效率。在本文中，我們將討論為[登陸后可查看全文]