硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車（EV）等。然而，市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。   與硅基MOSFET一樣，SiC MOSFET的工作特性和性能也依賴于柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，該電路負(fù)責(zé)開(kāi)啟和關(guān)閉器件。然而，SiC的特定特性要求對(duì)MOSFET器件和柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行仔細(xì)選擇，以確保安全地滿足應(yīng)用需求，并盡可能提高效率。在本文中，我們將討論為[登陸后可查看全文]