（左圖）用于xEV的SiC-MOSFET晶圓（示意圖） （右圖）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（出貨樣品示意圖）   2024年11月12日三菱電機(jī)集團(tuán)宣布，將于11月14日開始提供用于電動(dòng)汽車（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）和其他電動(dòng)汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）裸片樣品。這是三菱電機(jī)首款標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體芯片，將助力公司應(yīng)對(duì)xEV逆變器的多樣化需求，并推動(dòng)xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)，有助于提升逆變器性[登陸后可查看全文]