（左圖）用于xEV的SiC-MOSFET晶圓（示意圖） （右圖）用于xEV的SiC-MOSFET裸片布局（出貨樣品示意圖）   2024年11月12日三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）裸片樣品。這是三菱電機首款標準規格的SiC-MOSFET功率半導體芯片，將助力公司應對xEV逆變器的多樣化需求，并推動xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結合了特有的芯片結構和制造技術，有助于提升逆變器性[登陸后可查看全文]