11月8日，國星光電宣布，旗下子公司風華芯電于近日成功開發出基于扇出面板級封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。 據了解，該模塊在封裝形式上取得新突破，采用自主研發的扇出面板級封裝形式，其通過銅球鍵合工藝實現氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點結構，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實現互連，達到4個功率管有效互連效果，并形成半橋拓撲結構，實現模塊內部結構的高密度集成，減少產品體積，提升性能優勢。 與傳統鍵合線框架封裝相比，D-mode氮化鎵半橋模塊體積減少超67％，電路板[登陸后可查看全文]