11月8日，國(guó)星光電宣布，旗下子公司風(fēng)華芯電于近日成功開發(fā)出基于扇出面板級(jí)封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。 據(jù)了解，該模塊在封裝形式上取得新突破，采用自主研發(fā)的扇出面板級(jí)封裝形式，其通過(guò)銅球鍵合工藝實(shí)現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實(shí)現(xiàn)互連，達(dá)到4個(gè)功率管有效互連效果，并形成半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高密度集成，減少產(chǎn)品體積，提升性能優(yōu)勢(shì)。 與傳統(tǒng)鍵合線框架封裝相比，D-mode氮化鎵半橋模塊體積減少超67％，電路板[登陸后可查看全文]