東北大學(xué)于2024年10月17日宣布，成立了一家名為FOX的初創(chuàng)公司，旨在以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β型氧化鎵（β-Ga2O3）晶圓。采用該校與該校初創(chuàng)公司C&A聯(lián)合開發(fā)的無貴金屬單晶生長技術(shù)，可以以比SiC（硅）更低的成本生產(chǎn)出與硅相當(dāng)?shù)牡腿毕?beta;-Ga2O3/襯底。我們的目標(biāo)是將該技術(shù)投入實際應(yīng)用。 β-Ga2O3具有比SiC和GaN（氮化鎵）更寬的帶隙，并且由于其高性能和低能量損耗而有望用作下一代功率半導(dǎo)體。此外，與硅一樣，β-Ga2O3可以通過熔融生長從原料熔體中生長，從而可以一次生產(chǎn)大量高質(zhì)量的單晶。這一生長速度約[登陸后可查看全文]