東北大學于2024年10月17日宣布，成立了一家名為FOX的初創公司，旨在以低成本大規模生產β型氧化鎵（β-Ga2O3）晶圓。采用該校與該校初創公司C&A聯合開發的無貴金屬單晶生長技術，可以以比SiC（硅）更低的成本生產出與硅相當的低缺陷β-Ga2O3/襯底。我們的目標是將該技術投入實際應用。
β-Ga2O3具有比SiC和GaN（氮化鎵）更寬的帶隙，并且由于其高性能和低能量損耗而有望用作下一代功率半導體。此外，與硅一樣，β-Ga2O3可以通過熔融生長從原料熔體中生長，從而可以一次生產大量高質量的單晶。這一生長速度約
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