羅姆半導體公司(ROHM Semiconductor)近日宣布，將與臺灣的臺積電(TSMC)進一步加強合作，委托臺積電生產650V耐壓的氮化鎵(GaN)功率半導體。這一合作標志著羅姆在GaN技術領域的進一步布局，也顯示出臺積電在高性能半導體制造方面的實力和影響力。
氮化鎵(GaN)功率半導體因其優越的性能，正在逐漸取代傳統的硅基功率器件。GaN器件具有更高的開關頻率、更低的導通損耗和更高的耐壓能力，因此在電源管理、消費電子、汽車及可再生能源等領域展現出廣闊的應用前景。羅姆半導體早在2023年就宣布量產650V耐壓的GaN產品，并與臺達電(Delta
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