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    日本研發出氧化鎵低成本制法，有望促進功率半導體升級
    
    
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日本東京農工大學與日本酸素控股株式會社合作，共同開發出新一代功率半導體“氧化鎵”的低成本制法。該方法利用氣體供應原料，在基板上制造晶體，可以減少設備的維護頻率，也可以降低運營成本。
日本酸素控股表示，正在準備新型設備的商用化，客戶有需求即可供貨。
這種制造氧化鎵的新方法屬于“有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料，可以在基板上制造出氧化鎵的晶體。
目前現有的制法是“氫化物氣相外延（HVPE）法”，化學氣相沉積新制法可以制成此前實現不了[登陸后可查看全文]
    	
	

    
    


    
    
    
  
    
    
        

    



    

    
	
    

    
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