在韓國文化體育觀光部的支持下，韓國政府資助的非營利性電子通信研究院（ETRI）與韓國陶瓷工程技術研究所（KICET）合作，開發出了氧化鎵（Ga2O3）功率半導體的核心材料和器件工藝技術，即韓國開發的首款3kV級氧化鎵功率半導體金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）器件。   氧化鎵作為下一代功率半導體的關鍵材料，一直受到世界各國的積極研究。日本和美國在這一領域一直占據技術優勢，但韓國電子通信研究院認為其發展已將差距縮小。 圖片：Mun Jae-kyoung博士的研究團隊   3kV級適用于城市軌道、地鐵和超高速[登陸后可查看全文]