近日，功率半導體器件領域的頂級會議IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在德國不來梅市舉行。本屆ISPSD共收到論文投稿338篇，錄用141篇，其中口頭報告錄用42篇。北京大學集成電路魏進/王茂俊團隊與物理學院沈波團隊合作的6篇高水平論文入選（包含3篇口頭報告）。六篇論文內容涉及GaN功率器件熱電子效應抑制技術、高性能GaN p-FET器件技術、GaN功率器件動態電阻測試平臺、高柵極電壓擺幅GaN功率器件、GaN功率器件短路能力提升技術、增強型GaN功率器件動態閾值漂移與誤開通現象。論文詳[登陸后可查看全文]