近日，功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的頂級會議IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在德國不來梅市舉行。本屆ISPSD共收到論文投稿338篇，錄用141篇，其中口頭報告錄用42篇。北京大學(xué)集成電路魏進(jìn)/王茂俊團(tuán)隊(duì)與物理學(xué)院沈波團(tuán)隊(duì)合作的6篇高水平論文入選（包含3篇口頭報告）。六篇論文內(nèi)容涉及GaN功率器件熱電子效應(yīng)抑制技術(shù)、高性能GaN p-FET器件技術(shù)、GaN功率器件動態(tài)電阻測試平臺、高柵極電壓擺幅GaN功率器件、GaN功率器件短路能力提升技術(shù)、增強(qiáng)型GaN功率器件動態(tài)閾值漂移與誤開通現(xiàn)象。論文詳[登陸后可查看全文]