6月27日，半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導(dǎo)體（WBG），并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。 同時(shí)，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)部長Melanie Leonhard博士在生產(chǎn)基地成立100周年之際共同宣布的。   為了滿足對高效功率半導(dǎo)體日益增長的長期需求，從2024年6月開始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發(fā)和生產(chǎn)。   同月，安世半導(dǎo)體首批高壓GaN d-mode晶[登陸后可查看全文]