6月27日，半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布，計劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開發碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導體（WBG），并在德國漢堡工廠建立生產基礎設施。 同時，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產能也將增加。這些投資是與漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士在生產基地成立100周年之際共同宣布的。   為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，從2024年6月開始，安世半導體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國開發和生產。   同月，安世半導體首批高壓GaN d-mode晶[登陸后可查看全文]