日本住友化學(xué)工業(yè)株式會社開發(fā)了一種孔隙輔助分離（PAS）法，用于制造自支撐氮化鎵（GaN）襯底[Masafumi Yokoyama et al Appl. Phys. Express, v17, p055502, 2024]。   研究人員評論道：“我們預(yù)計，所提出的方法將為實現(xiàn)具有良好生產(chǎn)率的更大尺寸自支撐GaN襯底開辟一條道路。”   住友認為，要想應(yīng)對人類活動對全球氣候的不良影響，提高電氣系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率是其中一個關(guān)鍵因素。基于GaN的器件正是為此目的而開發(fā)，因為與硅等傳統(tǒng)電子材料相比，這種寬禁帶材料能夠承受更大的電壓和功率密度。   研究[登陸后可查看全文]