近日,英飛凌科技股份公司推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40V至700V電壓，進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能8英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據此擴大CoolGaNTM的優勢和產能，確保其在GaN器件市場供應鏈的穩定性。據Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。   英飛凌科技電源與傳感系統事業部總裁Adam White表示：“這兩個系列的發布是建立在英飛凌去[登陸后可查看全文]