英飛凌科技股份公司最近宣布，已成功開發出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發展。相較于200mm晶圓，300mm晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數量增加了2.3倍，效率也顯著提高。   300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓   基于GaN的功率半導體正在工業、汽車、消費、計算和通信應用中快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適[登陸后可查看全文]