日本信越化學當地時間9月3日宣布成功開發出用于氮化鎵GaN外延生長的300mm（IT之家注：一般也稱12英寸）的QST襯底，并已從近期開始向客戶供應相關樣品。
相較于以12英寸晶圓為主流的硅半導體，氮化鎵生產目前仍集中在6英寸與8英寸上，這其中部分是因為氮化鎵和硅熱存在熱膨脹系數差異，大尺寸硅基襯底容易導致在其上生長的氮化鎵外延層出現翹曲與開裂。
信越化學的QST襯底技術源自美國企業Qromis的專利授權，這一復合材料具有同氮化鎵更為接近的熱膨脹系數，減少了大尺寸襯底上氮化鎵外延層出現缺陷的風險，更適宜大厚度、高電壓氮化鎵器
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