在功率電子器件領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)以出眾的性能和廣闊的應(yīng)用前景，正逐步成為行業(yè)的新寵。英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）作為氮化鎵技術(shù)的開拓者和領(lǐng)軍者，憑借雄厚的研發(fā)實力、精湛的生產(chǎn)工藝以及豐富的產(chǎn)品線，正引領(lǐng)著功率電子器件的新一輪革命。   氮化鎵分立器件是英諾賽科的核心產(chǎn)品之一。英諾賽科設(shè)計、開發(fā)及制造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，用于各種低中高壓應(yīng)用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋了從15V至1,200V。此外，英諾賽科還開發(fā)了旗艦產(chǎn)品雙向氮化鎵芯片V-GaN[登陸后可查看全文]