經(jīng)過近五年新能源汽車市場的高速發(fā)展，過去價格高昂的SiC功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到電動汽車上。而SiC的降本，一方面是源自整體產(chǎn)能的不斷提高，包括襯底、外延以及晶圓制造等產(chǎn)線擴(kuò)張；另一部分是源自過去十多年時間里，SiC襯底尺寸從4英寸完全過渡至6英寸，加上良率的提升。更大的襯底尺寸，意味著單片SiC晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多，晶圓邊緣的浪費(fèi)減少，單芯片成本降低。   因此目前SiC產(chǎn)業(yè)都往8英寸晶圓發(fā)展，Wolfspeed的報告顯示，以32mm2面積的裸片（芯片）為例，8英寸晶圓上的裸片數(shù)量相比6英寸增加近90%，同時邊緣裸片[登陸后可查看全文]