3月6日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（下文簡稱“東芝”）宣布，公司已開始批量生產用于工業設備的第三代碳化硅（SiC）1700V、漏極電流（DC）額定值為250A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”，并擴大了產品陣容。     據介紹，新產品MG250V2YMS3具有低導通損耗和0.8V的低漏源導通電壓。它還具有低開關損耗，導通開關損耗低至18mJ，關斷開關損耗低至11mJ。這有助于減小設備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。MG250V2YMS3具有12nH的低雜散電感，并且能夠進行高速開關。 此外，它還能抑制開關操作時的浪涌[登陸后可查看全文]