近日，據“獨墅湖科創區發布”官微消息，晶湛半導體氮化鎵（GaN）外延片生產擴建項目已于2024年1月15日取得竣工驗收備案證。 據悉，該項目占地面積16.5畝，總建筑面積2.2萬平方米，總投資2.8億元，預計年產6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN外延片12萬片。 據此前消息，2022年7月底，蘇州獨墅湖科教創新區發布了晶湛半導體GaN外延片年產新增10000片項目環境影響評價第一次公示。根據公示，晶湛半導體彼時正在進行“蘇州晶湛半導體有限公司氮化鎵外延片年產新增10000片項目”環境影響評價工作。 2022年11月初，晶湛半[登陸后可查看全文]