近日，據(jù)“獨墅湖科創(chuàng)區(qū)發(fā)布”官微消息，晶湛半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延片生產(chǎn)擴建項目已于2024年1月15日取得竣工驗收備案證。 據(jù)悉，該項目占地面積16.5畝，總建筑面積2.2萬平方米，總投資2.8億元，預(yù)計年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN外延片12萬片。 據(jù)此前消息，2022年7月底，蘇州獨墅湖科教創(chuàng)新區(qū)發(fā)布了晶湛半導(dǎo)體GaN外延片年產(chǎn)新增10000片項目環(huán)境影響評價第一次公示。根據(jù)公示，晶湛半導(dǎo)體彼時正在進行“蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司氮化鎵外延片年產(chǎn)新增10000片項目”環(huán)境影響評價工作。 2022年11月初，晶湛半[登陸后可查看全文]