德州儀器（TI）近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰略規劃，該公司正在將其GaN-on-Si生產工藝從6英寸向8英寸過渡。
3月5日，TI韓國總監Ju-Yong Shin表示，TI正在美國達拉斯、日本會津和其他地方興建8英寸晶圓廠。據Shin介紹，TI目前采用6英寸工藝生產GaN半導體，達拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝，而在日本會津工廠，TI正在將現有的硅基8英寸生產線轉換為GaN半導體生產線。
在半導體行業，從一定程度上來說，隨著晶圓尺寸越來越大，單位器件成本呈下降趨勢。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍，12英寸晶圓的面積是8英寸
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