德州儀器（TI）近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰(zhàn)略規(guī)劃，該公司正在將其GaN-on-Si生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過(guò)渡。 3月5日，TI韓國(guó)總監(jiān)Ju-Yong Shin表示，TI正在美國(guó)達(dá)拉斯、日本會(huì)津和其他地方興建8英寸晶圓廠。據(jù)Shin介紹，TI目前采用6英寸工藝生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體，達(dá)拉斯工廠有望在2025年之前過(guò)渡到8英寸工藝，而在日本會(huì)津工廠，TI正在將現(xiàn)有的硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)線。 在半導(dǎo)體行業(yè)，從一定程度上來(lái)說(shuō)，隨著晶圓尺寸越來(lái)越大，單位器件成本呈下降趨勢(shì)。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍，12英寸晶圓的面積是8英寸[登陸后可查看全文]