近日，北京科技大學(xué)張錚教授團(tuán)隊(duì)和張躍院士團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體材料低功耗器件架構(gòu)方面取得進(jìn)展。研究成果以“自偏置二硫化鉬晶體管基同質(zhì)結(jié)負(fù)載型反相器用于亞皮瓦級計(jì)算”為題，于2024年1月8日發(fā)表在《自然·電子》上。 隨著集成電路制程節(jié)點(diǎn)的不斷推進(jìn)，傳統(tǒng)硅基CMOS器件面臨尺寸微縮下高泄漏電流導(dǎo)致的芯片靜態(tài)功耗無法抑制的重大挑戰(zhàn)。二維過渡金屬硫族化合物（TMDCs）材料具有突破尺寸微縮極限的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的輸運(yùn)性能和對短溝道效應(yīng)的免疫性，是后摩爾時(shí)代最具競爭力的集成電路非硅溝道材料之一。 然而，二維半[登陸后可查看全文]