今年以來，瑞薩、羅姆、英飛凌等多家半導體企業(yè)先后加碼碳化硅，而據(jù)最新消息，富士電機也準備加入這場戰(zhàn)局。 據(jù)日經(jīng)新聞報道，富士電機將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導體領(lǐng)域投資2000億日元規(guī)模，重點將放在用于純電動汽車(EV)電力控制等的功率半導體上，計劃在日本國內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能，意在抓住不斷擴大的需求，帶動下一個增長。 在截至2023年度的為期5年的現(xiàn)有中期經(jīng)營計劃中，富士電機一直以每年400億日元的速度在半導體領(lǐng)域展開投資。從2024年度開始的3年新中期經(jīng)營計劃將改為每年700億日元，加[登陸后可查看全文]