近日，蘇州中科重儀半導體材料有限公司（以下簡稱“中科重儀”）自主研發的應用于電力電子領域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產線正式建成并投入使用。   據介紹，中科重儀生產的氮化鎵外延片，氮化鎵層厚度約5μm表面無裂紋，翹曲度小于100μm。HEMT結構室溫下，方塊電阻為465Ω/sq，二維電子氣（2DEG）濃度約8×1013cm-2、2DEG遷移率大于2000 cm2/Vs，片內與片間不均勻性小于1%，可以滿足電力電子領域功率器件開發與應用需求。   中科重儀表示，其自主研發的電力電子方向硅基[登陸后可查看全文]