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    日本科學家開發出散熱能力超通用產品兩倍的GaN晶體管

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    2023年12月1日,大阪公立大學和東北大學宣布,兩所大學的研究小組和其他研究小組利用金剛石作為基板制造出了氮化鎵(GaN)晶體管,與在碳化硅(SiC)基板上制造的相同形狀的晶體管相比,成功地將散熱量提高了兩倍以上。這種晶體管不僅有望應用于5G通信基站、氣象雷達和衛星通信領域,還有望應用于迄今為止一直使用真空管的微波加熱和等離子體處理領域。該研究成果于2023年11月15日發表在國際期刊《Small》上。 金剛石襯底上的氮化鎵晶體管   研究背景 氮化鎵晶體管在移動數據通信基站和衛星通信系統等中被用作高功率、高頻率半[登陸后可查看全文]
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