三菱電機集團近日（2023年11月13日）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術(shù)為Nexperia開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，用于其開發(fā)SiC分立器件。   全球范圍內(nèi)的電動汽車市場正在不斷擴大，有望推動SiC功率半導體的指數(shù)級增長，與傳統(tǒng)硅功率半導體相比，SiC功率半導體具有更低的損耗、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。SiC功率半導體的高效率有望為全球脫碳和綠色轉(zhuǎn)型做出重大貢獻。   三菱電機在高速列車、高壓工業(yè)應(yīng)用和家用電器[登陸后可查看全文]